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什么是晶圓缺陷檢測設備?

發(fā)布時間:2023-07-26 點擊量:2432

什么是晶圓缺陷檢測設備?

晶圓缺陷檢測設備檢測晶圓上的異物和圖案缺陷,并確定缺陷的位置坐標(X,Y)。
缺陷包括隨機缺陷和系統(tǒng)缺陷。
隨機缺陷主要是由異物粘附等引起的。 因此,無法預測它將在哪里發(fā)生。 檢測晶圓上的缺陷并定位它們(位置坐標)是檢測設備的主要作用。
另一方面,系統(tǒng)缺陷是由掩?;虮┞豆に嚄l件引起的,并且可能發(fā)生在所有轉(zhuǎn)移芯片的電路模式中的同一點。
曝光條件非常困難,并且它們發(fā)生在需要微調(diào)的地方。
晶圓缺陷檢測設備通過將圖像與附近芯片的電路模式進行比較來檢測缺陷。 因此,傳統(tǒng)的晶圓缺陷檢測設備可能無法檢測到系統(tǒng)缺陷。
可以在圖案化工藝晶圓或鏡面晶圓上進行檢測。 對于它們中的每一個,設備的配置都是不同的。 典型的檢測設備如下所述。

缺陷檢測原理

圖案化晶圓檢測系統(tǒng)

圖案化晶圓檢測設備包括SEM檢測設備、明場檢測設備和暗場檢測設備。 它們各有各的特點,但基本的缺陷檢測原理是相同的。
半導體
晶圓與具有相同圖案的電子設備并排制造。
隨機缺陷通常是由異物等碎屑引起的,顧名思義,它們發(fā)生在
晶圓上未定的(隨機)位置。 在特定位置重復發(fā)生的概率被認為非常低。 因此,缺陷檢測設備通過比較相鄰芯片(也稱為芯片)的圖案圖像并取差異來檢測缺陷。

圖案化晶圓缺陷檢測原理
圖5-1 圖案化晶圓缺陷檢測原理

圖5-1說明了圖案化晶圓上的缺陷檢測原理。
電子束和光沿
芯片陣列捕獲晶圓上圖案的圖像。 為了使缺陷檢查裝置檢測缺陷,請將要檢查的模具的圖像(1)與相鄰模具(2)的圖像進行比較。
當圖像經(jīng)過數(shù)字處理和減去時,如果根本沒有缺陷,則減法為“0",未檢測到缺陷。 另一方面,如圖所示,在減去(2)中的
模具圖像有缺陷后,缺陷的圖像保留在差分圖像(3)中。 然后,缺陷檢查器檢測到缺陷,并將其與其位置坐標進行登記。

無圖案晶圓檢測系統(tǒng)

無圖案圓檢測系統(tǒng)設計用于晶圓制造商的晶圓出貨檢驗、設備制造商的晶圓驗收檢驗以及設備清潔度監(jiān)測。它用于設備狀態(tài)檢查等。 設備狀況檢查還用于設備制造商的運輸檢查和設備制造商在交付設備時的驗收檢查。
將用于清潔監(jiān)測的鏡面晶片裝入制造設備,在設備中移動載物臺后,監(jiān)測異物程度并檢查設備的清潔度。

ベアウェーハの欠陥検出の原理(1):ウェーハ上全面にレーザービームを照射
圖5-2 無圖案晶圓缺陷檢測原理(1)

圖5-2顯示了無圖案晶圓的缺陷檢測原理。
在沒有圖案的情況下,直接檢測缺陷,無需任何特定的圖像比較。
激光束照射在旋轉(zhuǎn)晶
上并沿徑向移動(相對)以照射晶片的整個表面。

ベアウェーハの欠陥検出の原理(2):レーザー光線が異物/欠陥に當たって生じる散亂光を検出器が検出
圖5-3 無圖案晶圓缺陷檢測原理(2)

晶圓旋轉(zhuǎn)并且激光束擊中異物/缺陷時,光被散射,散射光被檢測器檢測到。 這將檢測異物/缺陷。 根據(jù)晶圓的旋轉(zhuǎn)角度和激光束的徑向位置,確定并記錄異物/缺陷的坐標位置。
面晶圓上的缺陷不僅是異物,還有COP等晶體缺陷。

一般來說,明場檢測設備適用于圖案缺陷的詳細檢測,而暗場檢測設備可以高速檢測,適用于許多晶圓的缺陷檢測。

SEM視覺檢測設備在晶圓表面上照射電子束,以檢測發(fā)射的二次電子和背散射電子。
SEM視覺檢查系統(tǒng)還檢測以圖像對比度(電壓對比度)形式發(fā)射的二次電子量,該量根據(jù)設備內(nèi)部布線的傳導狀態(tài)而變化。 當檢測高縱橫比接觸孔底部的連續(xù)性條件時,可以檢測到超薄的SiO2殘留物。

コンタクトホール底の殘さ検出例
圖5-4 接觸孔底部殘留物檢測示例

產(chǎn)品介紹

介紹我們的缺陷審查SEM和晶圓檢測設備陣容。

電子鏡面檢測系統(tǒng) 米瑞利斯VM1000

Mirelis VM1000電子米勒可無損檢測晶體缺陷,例如SiC塊晶圓上的加工損壞以及外延晶片上的層壓缺陷和基底面位錯。

晶圓表面檢測系統(tǒng)LS系列

下一代晶圓表面檢測系統(tǒng),以高靈敏度檢測無圖案晶圓上的微小污染物和缺陷

暗場晶圓缺陷檢測系統(tǒng) DI4200

通過高靈敏度檢測和高通量檢測實現(xiàn)高速產(chǎn)品監(jiān)控。 這是有助于提高良率和降低生產(chǎn)成本的下一代暗場晶圓缺陷檢測系統(tǒng)。



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